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作者通过理论计算揭示了少层化的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片与多片层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片相比具有更佳的电催化活性，装死同时发现少层纳米片的(100)晶面与(001)晶面相比拥有更低的OER中间体吸附自由能。单层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片表现出了优于多层纳米片的OER性能，成电主要得益于少层、成电小尺寸的纳米片有更高的电化学活性面积以及更多的高活性(100)晶面的暴露。

2.通过调节合成温度，每天名梗成功制备了厚度从1层到10层不同厚度和尺寸的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片，无需额外剥离过程就可得到准单层的纳米片。这其中，装死准单层的纳米片只有1-2个单片层的厚度和更小的尺寸，可带来更多的高活性(100)晶面暴露，从而促进了OER反应的明显提高。成电图3 OER性能研究(a)OER极化曲线。

锗元素虽然没有电催化活性，每天名梗但是锗的存在对于蛇纹石结构电极材料的晶体生长和电子能带起到了重要影响。装死【图文导读】图1 Ni3Ge2O5(OH)4 纳米片的晶体结构和DFT理论计算结果。

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成电（b）SiO2/Ni分级空心微球的SEM图像。2.1、每天名梗SiO2的锂化行为 在早期研究中，认为SiO2对Li是电化学惰性的。

装死 Figure20.（a）NiSix@SiOx异质结构纳米线的TEM和SEM（插图）图像。（b）SiO、成电HEMM处理的d-SiO（3h）和HEMM处理的d-SiO（10h）的循环性能。